【学术讲座】超宽带隙氧化镓外延生长及器件应用

讲座题目：超宽带隙氧化镓外延生长及器件应用

讲座时间：2024年8月3日 10：00

讲座地点： 新城校区实验楼516，腾讯会议：884-810-296

主讲人及简介：

裴艳丽，中山大学电子与信息工程学院教授，博导，中山大学“百人计划”入选者。广东省宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心主任。主要研究工作集中在宽禁带氧化物半导体材料与器件方面，包括氧化物半导体材料外延MOCVD装备、外延工艺、氧化物半导体功率器件、氧化物半导体光探测器件、氧化物半导体薄膜晶体管器件、存储器件、神经形态器件等，发表SCI收录论文近100篇，授权发明专利30余项。承担国家高技术研究发展计划（863计划）重大项目、国家自然科学基金青年项目、面上项目、广东省战略性新兴产业科技攻关项目等。2020年获得“广东省科技进步奖二等奖”。

讲座内容简介：

本次报告介绍基于MOCVD的方法在蓝宝石衬底上制备高质量的氧化镓，研究制备工艺、后退火，以及F离子表面处理等多种手段对氧化镓日盲紫外探测性能的影响，揭示外延层缺陷、器件表面特性等影响探测性能的机制，为氧化镓基日盲紫外探测器的发展提供实验和理论支撑。

理学院

科研处

2024年7月31日